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【呵呵，几个元件也是几个啊，也是集成啊，就靠这个我可是获得了诺贝尔物理学奖，这是官方的认可。】
诺伊斯：【诺贝尔物理学奖！要不是因为我死的早，这奖应该是我的！】
基尔比：【诺伊斯，如果你当时还活着，应该是可以和我一起获得这个诺贝尔物理学奖的。同情.gif。】
诺伊斯：【我不需要你的同情！】
江维：“诺伊斯，他得奖感言里真这么说过。”
诺伊斯：【好吧，继续不需要同情！哼！靠个鬼的集成电路，从电气工程师变成物理学家的人。】
基尔比：【摊手.gif，物理学家真香。】
诺伊斯：【哈哈大笑.gif，作为英特尔的创始人，我有钱，真香。】
基尔比：【我又不爱钱，呵呵.gif】
诺伊斯：【……】
江维：“别BB了，一群机器人，赶紧干活！把观众的问题给解释了！谁先来！”
基尔比：【我先来，毕竟我发明集成电路早啊，哈哈哈哈。】
诺伊斯：【呵呵，有什么好得意的。这事儿你不干我不干，早晚总会有人干出来的。你不过就是早了那么一丢丢。】
基尔比：【呃，诺伊斯，其实咱们的技术都是源自贝尔实验室不是么。
1947年我大学毕业，学的是电子工程，毕业后去了全球联通在密尔沃基的中心实验室。
1952年，我们公司获得了贝尔实验室生产晶体管的专利许可。
我被派到贝尔实验室做为期两周的技术研讨，在这个过程中我学习到很多晶体管制造工艺和理论知识。
回到公司后，我组建了三人研发小组，制造了一些晶体管制作设备并作出了晶体管。
1956年年初，我参加了贝尔实验室的第三次研讨会。这次讨论会的主题，硅基晶体三极管和杂质在晶体中的扩散技术，对我产生了深远的影响。
第一，使我更加坚信，硅才是半导体未来的方向。但我所在的中心实验室对硅材料并不重视，不愿投入。这导致了我在实验室工作十年后决定跳槽。
第二，扩散技术，是实现半导体掺杂的关键技术，这项技术至今还是晶体管制造的基础。
于是，1958年5月，我跳槽去了德州仪器。
当时的德州仪器是国防部电子设备微型化计划的合作伙伴，公司的阿德科克小组正在为军方做一个叫“微型模块”，即平面电子器件的项目。
我看到这个项目就在想能不能有更好的解决方案，让电子模块小型化。
我将微型电路的工艺分为三类：
第一种方法，把各种器件做成同样大小和形状，使电路连接变得简单。
第二种，用各种薄膜来制造各种器件，不能用薄膜做的器件后面再加上去。
第三种，也是更彻底的方法，就是在一种材料中制造出全新的结构，并用它做出一个完整的电路。
当时我选了第三种方法进行研究，即在一种材料上做出所有的电路器件。
当时贝尔实验室已经开发出来了扩散技术和物理气相沉淀技术，我认为这两项技术是做出这种微型电路的关键。
我将这个设想与阿德科克小组的同事说了，他们同意了我的想法，但觉得这件事挺麻烦的，不过还是让我先尝试一下。
于是我先用硅做出了分立的电阻、电容、二极管和三极管，然后将它们连接成一个触发电路。
1958年8月28日，这个尝试成功了！
既然能用单一材料制作这些分立器件，就能将这些器件做到一块材料上！
当时德州仪器有几种锗器件，能先把金属蒸发在锗管的发射极和基极上，再用刻蚀技术做成接触点然后连接起来。
我得到了几块这样的锗晶片，所以着手用锗进行集成电路的制作。
两周后我做了三块这样的电路，1958年9月12日我们的实验获得了成功，现代电子工业第一个用单一材料制造的芯片就这样诞生了。】